由于庫存過高，今年NAND Flash產(chǎn)品的價格下跌趨勢難反轉(zhuǎn)，但是跌幅可能會縮小。
近期，價格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場，突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動。
7月初，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省就宣布，日本將限制對韓國出口3種半導(dǎo)體及OLED材料。自7月4日起，包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。
其中，光刻膠與NAND Flash等存儲芯片的生產(chǎn)制造相關(guān)。有手機從業(yè)者曾告訴記者，存儲已經(jīng)超過屏幕、CPU，成為手機最大的成本，存儲在手機中的成本達到25%-35%，可見其重要性。
另一方面，6月底，東芝的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘，至今還未恢復(fù)正常運營。這些因素都對接下來NAND Flash的產(chǎn)能以及價格造成影響，因此也有傳聞稱接下來NAND Flash會漲價。
但是在業(yè)內(nèi)看來，雖然降幅可能收窄，價格下跌的趨勢卻很難改變。集邦咨詢(TrendForce)研究協(xié)理陳玠瑋告訴21世紀經(jīng)濟報道記者：“預(yù)估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”
閃存市場的兩起突發(fā)事件
具體來看，一方面日本對出口韓國的半導(dǎo)體管制變得嚴厲，自7?月4?日起，韓國的最惠國待遇就被取消了，對于氟化聚酰亞胺、光刻膠和氟化氫三種半導(dǎo)體材料的出口限制上，從原先的免申請出口許可，改為逐案審核，相關(guān)審查流程最長將達90?個工作日。
根據(jù)新華社報道，日本政府在7月9日拒絕韓國方面談判提議，重申不打算撤銷對出口韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)原材料的管制。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣世耕弘成9日結(jié)束內(nèi)閣會議后告訴媒體記者：“(限制對韓出口)不可談，我們不打算撤回(管制措施)。”
隨著日韓貿(mào)易摩擦愈演愈烈，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到打擊。對于韓國存儲大廠來說，光刻膠對其影響最大。
據(jù)了解，光刻技術(shù)是芯片制造中重要的工藝，而光刻膠則是光刻技術(shù)實現(xiàn)的關(guān)鍵材料，是涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑，占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領(lǐng)域，日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位。
在NAND Flash市場上，主要玩家有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK?海力士、英特爾，其中三星陣營和東芝陣營占據(jù)了半壁江山。而日本的斷供，也將影響韓國三星和SK?海力士的NAND Flash芯片制造，導(dǎo)致減產(chǎn)。
為了應(yīng)對這一局面，業(yè)內(nèi)也傳出消息稱，海力士正在和Intel談判，或收購大連工廠及3D NAND業(yè)務(wù)，從而補充產(chǎn)能。此外，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部提出了“復(fù)興戰(zhàn)略”，加強韓國國內(nèi)的供應(yīng)鏈，預(yù)計從2021?年起，將對半導(dǎo)體材料、零組件、設(shè)備研發(fā)投入6?兆韓元(約51?億美元)的預(yù)算。
另一方面，東芝在6月遭遇斷電事故，5個工廠未能幸免，至今還未完全恢復(fù)，這也影響了NAND Flash的產(chǎn)能。而受傷的廠區(qū)也包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資廠，西部數(shù)據(jù)公開表示，約6ExaByte?(EB)的產(chǎn)能收到影響。
陳玠瑋向記者表示：“對東芝NAND Flash產(chǎn)能影響至少達30%，但預(yù)計七月中旬就會恢復(fù)生產(chǎn)。”
除了以上的突發(fā)事故，另一巨頭美光的營收和產(chǎn)能也不理想。受到供大于求的環(huán)境背景、以及中美貿(mào)易摩擦的影響，美光2019財年Q3季度中，NAND營收大約占總營收的31%，營收環(huán)比下降18%，同比下降25%。為了進一步改善市場供需，美光決定將NAND Flash產(chǎn)出減少比例從原來的5%提高到了10%，還將削減2020年資本支出。
那么，面對今年NAND Flash產(chǎn)能減少的情況，三季度開始產(chǎn)品價格會上漲嗎?
下跌趨勢難反轉(zhuǎn)
有觀點認為，以上這兩個事件會對NAND Flash價格產(chǎn)生影響，甚至預(yù)計NANDFlash將漲價10%到15%。
但是陳玠瑋告訴記者：“七月通路Wafer(晶圓)價格報價預(yù)計上漲至少10%，但成交價格可能不會上漲這么多，集邦咨詢預(yù)估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”
按照TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)的評估，東芝事件將使得Wafer短期報價面臨漲價壓力，第三季度2D NAND Flash產(chǎn)品價格可能上漲，3D NAND Flash的跌幅可能微幅收斂。其中，2D NAND產(chǎn)品受到的影響較為明顯，因為東芝四日市廠區(qū)仍為市場重要供應(yīng)來源且該類產(chǎn)品庫存水準較低，所以第三季度預(yù)計有上漲壓力。
但是以3D NAND架構(gòu)為主的eMMC/UFS以及SSD等主流產(chǎn)品，在買賣雙方皆有高庫存支持下，第三季合約價走跌態(tài)勢不致翻轉(zhuǎn)，但跌幅可能略微減少。而在Wafer(晶圓)及通路零售市場，由于西部數(shù)據(jù)有不小的市場影響力，同時美光亦宣布擴大減產(chǎn)幅度，加上今年市場已長期處在接近成本線的壓力，TrendForce預(yù)期將為Wafer報價帶來短期調(diào)漲壓力，第四季度預(yù)計合約價趨向持平或小跌。
另一方面，中國國內(nèi)長江存儲也在擴張產(chǎn)能，據(jù)悉，長江存儲有望在2019年底前在武漢存儲基地大規(guī)模生產(chǎn)64層3DNAND，長江存儲正在武漢建設(shè)一座240億美元的半導(dǎo)體工廠。雖然與國際大廠相比，長江存儲的64層3DNAND仍落后，產(chǎn)能不算大，但是差距在迅速縮小，也將對NAND Flash市場的價格產(chǎn)生沖擊。
在2017年時，由于閃存等存儲芯片價格持續(xù)上漲，一度引發(fā)了包括手機、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品的陸續(xù)漲價。直到2018年，供需關(guān)系發(fā)生變化，閃存價格一直下跌，2019年跌勢繼續(xù)。
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的一份相關(guān)報告顯示：2019年2月，8GB系統(tǒng)內(nèi)存DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)的全球市場單價為5.9美元，相較于2017年同期下降36.8%，而128GB閃存NAND Flash的全球市場單價為5美元，相較去年同期下降25.2%。
整體來看，由于庫存過高，今年NAND Flash產(chǎn)品的價格下跌趨勢難反轉(zhuǎn)，但是跌幅可能會縮小。
